JIANGSU SICAP SEMICONDUCTOR

电子工业大米的
半导体级重构

国内率先布局硅电容 IDM 模式的硬科技企业。团队来自中芯国际、士兰微, 以 300mm 晶圆制程与 DTC / ALD / WLCSP 工艺,为 AI 算力、机器人、汽车与航天提供核心无源器件。

12+授权发明专利
300mm先进晶圆制程
>100nF/mm²单位面积容值
-55~250℃工作温区
APPLICATION MATRIX

一个器件,五个高价值战场

从 AI 服务器到军民两用装备,硅电容在每一个高算力、高可靠场景中都承担着不可替代的角色。

AI 服务器

单台价值 上万元

GPU 先进封装去耦(CoWoS-S/L 集成)、1.6T 光模块高频滤波与 AC 耦合,稳压核心、保证信号完整性。

机器人

单手 300 ~ 500 元

每个手指关节需 5~10 颗硅电容,单手约 150 颗。用于关节驱动、高精度力控与紧凑空间布局。

汽车 / ADAS

单车价值 超千元

域控制器、车载雷达与电源管理,满足高温高压高频环境下的高可靠性,对标 AEC-Q200 车规要求。

旗舰 AI 手机

单机价值 超百元

SoC 供电系统稳压与滤波。单颗尺寸可至 0.64×0.5mm、厚 75μm,替代多颗 MLCC 并联,占板面积缩减 80%。

军工 / 航天

高可靠定制方案

满足 MIL-SPEC 100% 筛选,工作温区 -250℃~250℃。用于卫星电源、导弹点火、机载雷达与激光雷达缓冲电路。

CORE ADVANTAGES

四项物理代差

硅电容是"用造芯片的方式造电容",其优势本质上是半导体工艺对传统陶瓷工艺的降维打击。

10×
更薄,且与容值解耦

可薄至 40μm,厚度不随容值增长,能嵌入封装内部,而非仅表面贴装。

10pH
极低 ESL / ESR

多端子设计中阻抗逼近物理极限,DC~110GHz+ 保持稳定容值。

±1%
宽温区近乎平坦

-55℃~250℃ 容值波动 ±1% 以内,温度系数约 +60ppm/K 且高度线性。

≈0
无老化、无压电啸叫

老化率 < 0.001%/1000h;单晶硅无压电效应,从根上消除电路板音频啸叫。

3D 硅电容与传统 MLCC 关键参数对比
关键参数 3D 硅电容 传统 MLCC 差距
等效串联电感 ESL 10pH ~ 100pH > 300pH 3 倍以上
厚度 / 集成方式 可薄至 40μm,嵌入式集成 约 1mm,仅表面贴装 薄 10 倍
工作频率范围 DC ~ 110GHz+ 谐振受限 量级提升
温度稳定性 ±60ppm/K,-55~250℃ 高容品波动 ±15% 稳定 15 倍
老化率 < 0.001% / 1000h 1 ~ 2% / 十年 近乎零衰减
压电效应 / 啸叫 无压电效应,彻底消除 强介电陶瓷产生啸叫 根治

* 数据为典型值,具体以正式规格书为准。

IDM MODEL

掌控全产业链核心

硅电容技术壁垒 80% 来自制造工艺。矽谦规划国内首条 12 英寸硅电容专用量产线, 一期月产 1 万片,采用 300mm 晶圆先进制程(DTC / ALD / WLCSP)。

  • ISO9001 & IATF16949 体系(筹备中)
  • 产品 100% 可靠性测试,满足车规 / 军标
  • 已批量用于 400G / 800G 光模块头部客户
  • 授权发明专利 12 项 + 21 项实质审查中
全自动化半导体制造产线:刻蚀、沉积、光刻、检测十二道工序
▲ 全自动化半导体制造产线(刻蚀 / 沉积 / 光刻 / 检测)
MARKET OUTLOOK

AI 时代的电子工业大米

美国市场调研机构 Wise Guy Report 测算:2024 年全球 3D 硅电容市场规模约 30 亿美元, 随 AI 高性能计算与机器人产业迅速发展,将于 2032 年突破 100 亿美元。

30亿$
2024 年全球市场规模
100亿$
2032 年预测规模
80%
行业壁垒来自制造工艺

来源:Wise Guy Reports · 3D Silicon Capacitor Market

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联系销售代表 jonas.lian@sicap-semi.com