AI 服务器
GPU 先进封装去耦(CoWoS-S/L 集成)、1.6T 光模块高频滤波与 AC 耦合,稳压核心、保证信号完整性。
从 AI 服务器到军民两用装备,硅电容在每一个高算力、高可靠场景中都承担着不可替代的角色。
GPU 先进封装去耦(CoWoS-S/L 集成)、1.6T 光模块高频滤波与 AC 耦合,稳压核心、保证信号完整性。
每个手指关节需 5~10 颗硅电容,单手约 150 颗。用于关节驱动、高精度力控与紧凑空间布局。
域控制器、车载雷达与电源管理,满足高温高压高频环境下的高可靠性,对标 AEC-Q200 车规要求。
SoC 供电系统稳压与滤波。单颗尺寸可至 0.64×0.5mm、厚 75μm,替代多颗 MLCC 并联,占板面积缩减 80%。
满足 MIL-SPEC 100% 筛选,工作温区 -250℃~250℃。用于卫星电源、导弹点火、机载雷达与激光雷达缓冲电路。
硅电容是"用造芯片的方式造电容",其优势本质上是半导体工艺对传统陶瓷工艺的降维打击。
可薄至 40μm,厚度不随容值增长,能嵌入封装内部,而非仅表面贴装。
多端子设计中阻抗逼近物理极限,DC~110GHz+ 保持稳定容值。
-55℃~250℃ 容值波动 ±1% 以内,温度系数约 +60ppm/K 且高度线性。
老化率 < 0.001%/1000h;单晶硅无压电效应,从根上消除电路板音频啸叫。
| 关键参数 | 3D 硅电容 | 传统 MLCC | 差距 |
|---|---|---|---|
| 等效串联电感 ESL | 10pH ~ 100pH | > 300pH | 3 倍以上 |
| 厚度 / 集成方式 | 可薄至 40μm,嵌入式集成 | 约 1mm,仅表面贴装 | 薄 10 倍 |
| 工作频率范围 | DC ~ 110GHz+ | 谐振受限 | 量级提升 |
| 温度稳定性 | ±60ppm/K,-55~250℃ | 高容品波动 ±15% | 稳定 15 倍 |
| 老化率 | < 0.001% / 1000h | 1 ~ 2% / 十年 | 近乎零衰减 |
| 压电效应 / 啸叫 | 无压电效应,彻底消除 | 强介电陶瓷产生啸叫 | 根治 |
* 数据为典型值,具体以正式规格书为准。
硅电容技术壁垒 80% 来自制造工艺。矽谦规划国内首条 12 英寸硅电容专用量产线, 一期月产 1 万片,采用 300mm 晶圆先进制程(DTC / ALD / WLCSP)。
美国市场调研机构 Wise Guy Report 测算:2024 年全球 3D 硅电容市场规模约 30 亿美元, 随 AI 高性能计算与机器人产业迅速发展,将于 2032 年突破 100 亿美元。
来源:Wise Guy Reports · 3D Silicon Capacitor Market